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产品规格

封装/外壳	3-WDFN 裸露焊盘
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-WDFN（2x2）
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	875mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 400mA，4A
频率 - 跃迁	150MHz
关键词

产品资料

数据列表	NSS40501UW3T2G
标准包装	3,000

封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-WDFN 裸露焊盘   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-WDFN（2x2）   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2A，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2A，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 875mW  ON Semiconductor Power - Max 875mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 875mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 875mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 5A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 400mA，4A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 400mA，4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 400mA，4A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 400mA，4A   频率 - 跃迁 150MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz