NSVF3007SG3T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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NSVF3007SG3T1G
NSVF3007SG3T1G -
RF TRANSISTOR
新产品
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NSVF3007SG3T1G
仓库库存编号：
NSVF3007SG3T1GOSCT-ND
描述：
RF TRANSISTOR
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 12V 30mA 8GHz 350mW Surface Mount 3-MCPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NSVF3007SG3T1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
在售
供应商器件封装
3-MCPH
晶体管类型
NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
60 @ 5mA，5V
频率 - 跃迁
8GHz
功率 - 最大值
350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
增益
12dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.8dB @ 1GHz
关键词
产品资料
数据列表
NSVF3007SG3
标准包装
1
其它名称
NSVF3007SG3T1GOSCT
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封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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系列 汽车级，AEC-Q101
ON Semiconductor 系列 汽车级，AEC-Q101
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 汽车级，AEC-Q101
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售
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供应商器件封装 3-MCPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-MCPH
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-MCPH
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-MCPH
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，5V
ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，5V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 5mA，5V
频率 - 跃迁 8GHz
ON Semiconductor 频率 - 跃迁 8GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz
功率 - 最大值 350mW
ON Semiconductor 功率 - 最大值 350mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA
ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 30mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 12V
ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V
增益 12dB
ON Semiconductor 增益 12dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB @ 1GHz
ON Semiconductor 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB @ 1GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB @ 1GHz
ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.8dB @ 1GHz
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