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NSVJ3557SA3T1G
NSVJ3557SA3T1G -
MOSFET N-CH 15V 32MA SC59
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NSVJ3557SA3T1G
仓库库存编号:
NSVJ3557SA3T1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 15V 32MA SC59
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 10mA @ 5V 200mW Surface Mount SC-59-3/CP3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NSVJ3557SA3T1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-59-3/CP3
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10pF @ 5V
漏源电压(Vdss)
15V
Power - Max
200mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
10mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
300mV @ 100μA
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
15V
电阻 - RDS(开)
-
漏极电流(Id) - 最大值
50mA
关键词
产品资料
数据列表
NSVJ3557SA3
标准包装
3,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
详细描述:JFET N-Channel 5mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBF4393LT1G
仓库库存编号:
MMBF4393LT1GOSCT-ND
别名:MMBF4393LT1GOSCT
无铅
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ON Semiconductor
JFET N-CH 25V 60MA SOT23
详细描述:RF Mosfet N-Channel JFET SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBFJ310LT1G
仓库库存编号:
MMBFJ310LT1GOSCT-ND
别名:MMBFJ310LT1GOSCT
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V .04A CPH3
详细描述:JFET N-Channel 20mA @ 5V 400mW Surface Mount 3-CPH
型号:
CPH3910-TL-E
仓库库存编号:
CPH3910-TL-EOSCT-ND
别名:CPH3910-TL-EOSCT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
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ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 在售
供应商器件封装 SC-59-3/CP3
ON Semiconductor 供应商器件封装 SC-59-3/CP3
晶体管 - JFET 供应商器件封装 SC-59-3/CP3
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FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10pF @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10pF @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10pF @ 5V
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ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 15V
晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 15V
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Power - Max 200mW
ON Semiconductor Power - Max 200mW
晶体管 - JFET Power - Max 200mW
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不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 5V
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晶体管 - JFET 漏极电流(Id) - 最大值 50mA
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏极电流(Id) - 最大值 50mA
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