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NSVJ3910SB3T1G
NSVJ3910SB3T1G -
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
非库存货
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NSVJ3910SB3T1G
仓库库存编号：
NSVJ3910SB3T1G-ND
描述：
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 20mA @ 5V 400mW Surface Mount 3-CPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NSVJ3910SB3T1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
供应商器件封装
3-CPH
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6pF @ 5V
漏源电压（Vdss）
25V
Power - Max
400mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
20mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
600mV @ 100μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
25V
电阻 - RDS（开）
-
漏极电流（Id） - 最大值
50mA
关键词
产品资料
数据列表
NSVJ3910SB3
标准包装
3,000
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 汽车级，AEC-Q101
ON Semiconductor 系列 汽车级，AEC-Q101
晶体管 - JFET 系列 汽车级，AEC-Q101
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 汽车级，AEC-Q101
包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）
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零件状态 在售
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晶体管 - JFET 零件状态 在售
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供应商器件封装 3-CPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CPH
晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CPH
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-CPH
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6pF @ 5V
漏源电压（Vdss） 25V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 25V
晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V
Power - Max 400mW
ON Semiconductor Power - Max 400mW
晶体管 - JFET Power - Max 400mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 400mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 5V
晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 20mA @ 5V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 100μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 100μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 600mV @ 100μA
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电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V
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漏极电流（Id） - 最大值 50mA
ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 50mA
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