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产品规格

封装/外壳	SOT-963
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-963
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V / 100 @ 10mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	200MHz，250MHz
功率 - 最大值	350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	NST3946DP6T5G
标准包装	8,000

封装/外壳 SOT-963  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-963  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-963  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-963   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-963  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-963  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-963  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-963   晶体管类型 NPN，PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V / 100 @ 10mA，1V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V / 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V / 100 @ 10mA，1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V / 100 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz   功率 - 最大值 350mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V