NTA4153NT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
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NTA4153NT1G
NTA4153NT1G -
MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTA4153NT1G
仓库库存编号：
NTA4153NT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 915mA（Ta） 300mW（Tj） SC-75，SOT-416
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTA4153NT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-75，SOT-416
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-75，SOT-416
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.82nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
915mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
110pF @ 16V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）
漏源电压（Vdss）
20V
关键词
产品资料
数据列表
Nxx4153N
标准包装
1
其它名称
NTA4153NT1GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号：
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仓库库存编号：
490-2537-1-ND
别名：490-2537-1
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型号：
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仓库库存编号：
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别名：NTA4151PT1GOSCT
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V
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