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NTB18N06T4G - 

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTB18N06T4G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTB18N06T4G
仓库库存编号：
NTB18N06T4GOS-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
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NTB18N06T4G
库存编号:NTB18N06T4GOS-ND		 onsemi MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK0
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NTB18N06T4G onsemi POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 15A I(D), 60V, 0.09OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET80
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NTB18N06T4G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  22nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  90 毫欧 @ 7.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  15A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  450pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  48.4W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTB,NTP18N06
标准包装 800
其它名称 NTB18N06T4GOS

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NTB18N06T4
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MOSFET 60V 15A N-Channel

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NTB18N06T4G|ON SemiconductorNTB18N06T4G
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ON Semiconductor - NTB18N06T4G - MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK		ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK

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