NTB6410ANT4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
>
NTB6410ANT4G
NTB6410ANT4G -
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTB6410ANT4G
仓库库存编号：
NTB6410ANT4GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NTB6410ANT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
120nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
13 毫欧 @ 76A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
76A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
漏源电压（Vdss）
100V
关键词
产品资料
数据列表
NTB6410AN, NTP6410AN
标准包装
1
其它名称
NTB6410ANT4GOSCT
NTB6410ANT4G您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERDI323
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 1A PowerDI? 323
型号：
PD3S160-7
仓库库存编号：
PD3S160DICT-ND
别名：PD3S160DICT
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号：
IRFR4510TRPBFCT-ND
别名：IRFR4510TRPBFCT
无铅
搜索
NTB6410ANT4G相关搜索
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D2PAK
ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±20V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 76A，10V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 76A，10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 76A，10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 76A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 76A（Tc）
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 76A（Tc）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 76A（Tc）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 76A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
FET 功能 -
ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
功率耗散（最大值） 188W（Tc）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 188W（Tc）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 188W（Tc）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 188W（Tc）
漏源电压（Vdss） 100V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 100V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
