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NTD2955-1G - 

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

ON Semiconductor NTD2955-1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTD2955-1G
仓库库存编号：
NTD2955-1GOS-ND
描述：
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTD2955-1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  30nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  180 毫欧 @ 6A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  12A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  750pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  55W（Tj）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTD,NVD2955
PCN 设计/规格 Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
标准包装 75
其它名称 NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G

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