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NTD3055L170-1G
NTD3055L170-1G -
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NTD3055L170-1G
仓库库存编号:
NTD3055L170-1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTD3055L170-1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
I-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
10nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
170 毫欧 @ 4.5A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
275pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),28.5W(Tj)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
NTD3055L170
标准包装
75
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封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
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ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 I-Pak
ON Semiconductor 供应商器件封装 I-Pak
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak
技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±15V
ON Semiconductor Vgs(最大值) ±15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±15V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 4.5A,5V
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 4.5A,5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 4.5A,5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 4.5A,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Ta)
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Ta)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 25V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 25V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 25V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),28.5W(Tj)
ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),28.5W(Tj)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),28.5W(Tj)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.5W(Ta),28.5W(Tj)
漏源电压(Vdss) 60V
ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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