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NTD4906N-35G
NTD4906N-35G -
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTD4906N-35G
仓库库存编号：
NTD4906N-35GOS-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTD4906N-35G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
I-Pak
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
24nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
5.5 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.3A（Ta），54A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1932pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
1.38W（Ta），37.5W（Tc）
漏源电压（Vdss）
30V
关键词
产品资料
数据列表
NTD4906N
标准包装
75
其它名称
NTD4906N-35G-ND
NTD4906N-35GOS
NTD4906N35G
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP30N06L
仓库库存编号：
FQP30N06L-ND
无铅
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
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系列 -
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包装 管件
ON Semiconductor 包装 管件
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
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供应商器件封装 I-Pak
ON Semiconductor 供应商器件封装 I-Pak
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技术 MOSFET（金属氧化物）
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.5 毫欧 @ 30A，10V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.5 毫欧 @ 30A，10V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1932pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
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功率耗散（最大值） 1.38W（Ta），37.5W（Tc）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 1.38W（Ta），37.5W（Tc）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.38W（Ta），37.5W（Tc）
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漏源电压（Vdss） 30V
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晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
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