NTD6415ANLT4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NTD6415ANLT4G - 

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

ON Semiconductor NTD6415ANLT4G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NTD6415ANLT4G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  35nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  52 毫欧 @ 10A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  23A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1024pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  83W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTD6415ANL
标准包装 1
其它名称 NTD6415ANLT4GOSCT

NTD6415ANLT4G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

NTD6415ANLT4G相关搜索

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 10A,10V  ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 10A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 10A,10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 52 毫欧 @ 10A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1024pF @ 25V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1024pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1024pF @ 25V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1024pF @ 25V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA   功率耗散(最大值) 83W(Tc)  ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 83W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 83W(Tc)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 83W(Tc)   漏源电压(Vdss) 100V  ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 100V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号