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NTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G -
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTD6416ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6416ANLT4GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTD6416ANLT4G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
74 毫欧 @ 19A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
漏源电压（Vdss）
100V
关键词
产品资料
数据列表
NTD6416ANL
标准包装
1
其它名称
NTD6416ANLT4GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号：
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别名：RFD3055LESM9ACT
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型号：
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漏源电压（Vdss） 100V
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V
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