NTE4151PT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
>
NTE4151PT1G
NTE4151PT1G -
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTE4151PT1G
仓库库存编号：
NTE4151PT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 313mW（Tj） SC-89-3
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NTE4151PT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-89，SOT-490
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-89-3
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
2.1nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
760mA（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
156pF @ 5V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
313mW（Tj）
漏源电压（Vdss）
20V
关键词
产品资料
数据列表
NTA,NTE4151P
标准包装
1
其它名称
NTE4151PT1GOSCT
NTE4151PT1G您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
MMBT3904
仓库库存编号：
MMBT3904FSCT-ND
别名：MMBT3904FSCT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
MMBT3906
仓库库存编号：
MMBT3906FSCT-ND
别名：MMBT3906FSCT
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 915mA（Ta） 300mW（Tj） SC-89-3
型号：
NTE4153NT1G
仓库库存编号：
NTE4153NT1GOSCT-ND
别名：NTE4153NT1GOSCT
无铅
搜索
Murata Electronics North America
FERRITE BEAD 120 OHM 0402 1LN
型号：
BLM15EG121SN1D
仓库库存编号：
490-4004-1-ND
别名：490-4004-1
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
型号：
BSS138K
仓库库存编号：
BSS138KCT-ND
别名：BSS138KCT
无铅
搜索
NTE4151PT1G相关搜索
封装/外壳 SC-89，SOT-490
ON Semiconductor 封装/外壳 SC-89，SOT-490
晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-89，SOT-490
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-89，SOT-490
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SC-89-3
ON Semiconductor 供应商器件封装 SC-89-3
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-89-3
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-89-3
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±6V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±6V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±6V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 350mA，4.5V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 350mA，4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 350mA，4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 350mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 760mA（Tj）
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 760mA（Tj）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 760mA（Tj）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 760mA（Tj）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 156pF @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 156pF @ 5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 156pF @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 156pF @ 5V
FET 功能 -
ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
功率耗散（最大值） 313mW（Tj）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 313mW（Tj）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 313mW（Tj）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 313mW（Tj）
漏源电压（Vdss） 20V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 20V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
