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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-25°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-TSOP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	5.5nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 2.6A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.6A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	295pF @ 15V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	NTGD4169F
标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-23-6  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-23-6  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -25°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -25°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -25°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -25°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSOP  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±12V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V   FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  ON Semiconductor FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V