NTJD1155LT1,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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NTJD1155LT1 - 

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTJD1155LT1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTJD1155LT1
仓库库存编号:
NTJD1155LT1-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTJD1155LT1产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  175 毫欧 @ 1.2A,4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.3A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  8V  
  功率 - 最大值  400mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTJD1155L
标准包装 3,000

NTJD1155LT1ROHS替代

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