NTJD4158CT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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NTJD4158CT1G - 

MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363

ON Semiconductor NTJD4158CT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTJD4158CT1G
仓库库存编号：
NTJD4158CT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NTJD4158CT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.5nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  250mA，880mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  33pF @ 5V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 100μA  
  漏源电压（Vdss）  30V，20V  
  功率 - 最大值  270mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTJD4158C
标准包装 1
其它名称 NTJD4158CT1GOSCT

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