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NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G -
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTJS3151PT1G
仓库库存编号：
NTJS3151PT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTJS3151PT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
8.6nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
850pF @ 12V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 100μA
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
12V
关键词
产品资料
数据列表
NTJS3151P
标准包装
1
其它名称
NTJS3151PT1GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名：*DF40HC(3.0)-30DS-0.4V(51)
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