NTLJD2105LTBG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NTLJD2105LTBG - 

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTLJD2105LTBG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTLJD2105LTBG
仓库库存编号:
NTLJD2105LTBG-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NTLJD2105LTBG产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-WDFN 裸露焊盘  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-WDFN(2x2)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  50 毫欧 @ 4A,4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2.5A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  8V  
  功率 - 最大值  520mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTLJD2105L
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 04/April/2008
标准包装 3,000

NTLJD2105LTBG相关搜索

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 6-WDFN(2x2)  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-WDFN(2x2)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-WDFN(2x2)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-WDFN(2x2)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4A,4.5V  ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4A,4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4A,4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   FET 功能 标准  ON Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 8V  ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 8V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 8V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 8V   功率 - 最大值 520mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 520mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 520mW  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 520mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号