NTLJD2105LTBG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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NTLJD2105LTBG - 

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTLJD2105LTBG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTLJD2105LTBG
仓库库存编号：
NTLJD2105LTBG-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTLJD2105LTBG产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-WDFN 裸露焊盘  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-WDFN（2x2）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  50 毫欧 @ 4A，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  2.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  8V  
  功率 - 最大值  520mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTLJD2105L
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 04/April/2008
标准包装 3,000

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