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NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTAG -
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTLJS1102PTAG
仓库库存编号：
NTLJS1102PTAG-ND
描述：
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTLJS1102PTAG产品属性
产品规格
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
25nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.7A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1585pF @ 4V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
720mV @ 250μA
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
8V
关键词
产品资料
数据列表
NTLJS1102P
标准包装
3,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Linear Technology
IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO220-3
详细描述：Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable Output 1.25 V ~ 28.5 V 3A TO-220-3
型号：
LT1085CT#PBF
仓库库存编号：
LT1085CT#PBF-ND
别名：LT1085CTPBF
无铅
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制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
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包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
ON Semiconductor 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±6V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±6V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±6V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 4.5V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 720mV @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 720mV @ 250μA
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功率耗散（最大值） 700mW（Ta）
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漏源电压（Vdss） 8V
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