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NTMD4820NR2G
NTMD4820NR2G -
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTMD4820NR2G
仓库库存编号：
NTMD4820NR2GOSCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTMD4820NR2G产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7.7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
20 毫欧 @ 7.5A，10V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.9A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
940pF @ 15V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）
30V
功率 - 最大值
750mW
关键词
产品资料
数据列表
NTMD4820N
标准包装
1
其它名称
NTMD4820NR2GOSCT
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制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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系列 -
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包装 剪切带（CT）
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零件状态 在售
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供应商器件封装 8-SOIC
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 940pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
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漏源电压（Vdss） 30V
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功率 - 最大值 750mW
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