关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	215 毫欧 @ 2.2A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.1A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	400pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	80V
功率 - 最大值	600mW
关键词

产品资料

数据列表	NTMD6601NR2G
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SOIC  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 2.2A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 2.2A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 2.2A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 215 毫欧 @ 2.2A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.1A  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.1A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.1A  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.1A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 80V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 80V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 80V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 80V   功率 - 最大值 600mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 600mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 600mW  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 600mW