NTMD6N03R2,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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NTMD6N03R2
NTMD6N03R2 -
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTMD6N03R2
仓库库存编号：
NTMD6N03R2OS-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTMD6N03R2产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
30nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
32 毫欧 @ 6A，10V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
950pF @ 24V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）
30V
功率 - 最大值
1.29W
关键词
产品资料
数据列表
NTMD6N03R2
标准包装
2,500
其它名称
NTMD6N03R2OS
NTMD6N03R2ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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系列 -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
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零件状态 过期
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供应商器件封装 8-SOIC
ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SOIC
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 32 毫欧 @ 6A，10V
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 24V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 24V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
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