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NTMFD4C85NT1G - 

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

ON Semiconductor NTMFD4C85NT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTMFD4C85NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTMFD4C85NT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-DFN(5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  32nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3 毫欧 @ 20A,10V  
  FET 类型  2 N 沟道(双)非对称型  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  15.4A,29.7A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1960pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  1.13W  
关键词         

产品资料
数据列表 NTMFD4C85N
标准包装 1
其它名称 NTMFD4C85NT1GOSCT

NTMFD4C85NT1G相关搜索

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