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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	32nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15.4A，29.7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1960pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1.13W
关键词

产品资料

数据列表	NTMFD4C85N
标准包装	1
其它名称	NTMFD4C85NT1GOSCT

封装/外壳 8-PowerTDFN  ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-DFN（5x6）  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-DFN（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-DFN（5x6）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-DFN（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 32nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  ON Semiconductor FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.4A，29.7A  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.4A，29.7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.4A，29.7A  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.4A，29.7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 15V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 15V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 15V   FET 功能 标准  ON Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.13W  ON Semiconductor 功率 - 最大值 1.13W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.13W  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.13W