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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	25nC @ 11.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	6.95 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，11.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8.8A（Ta），58.5A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 12V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	870mW（Ta），38.5W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	NTMFS4921N
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 10/Oct/2013
标准包装	1
其它名称	NTMFS4921NT1GOSCT

封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线  ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  ON Semiconductor 供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 11.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 11.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 11.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 11.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.95 毫欧 @ 30A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.95 毫欧 @ 30A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.95 毫欧 @ 30A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.95 毫欧 @ 30A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，11.5V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，11.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，11.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，11.5V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），58.5A（Tc）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），58.5A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），58.5A（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），58.5A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 12V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 12V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 12V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 870mW（Ta），38.5W（Tc）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 870mW（Ta），38.5W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 870mW（Ta），38.5W（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 870mW（Ta），38.5W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V