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NTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1G -
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTMFS5832NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5832NLT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 20A（Ta），111A（Tc） 3.1W（Ta），96W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTMFS5832NLT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Ta），111A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2700pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），96W（Tc）
漏源电压（Vdss）
40V
关键词
产品资料
数据列表
NTMFS5832NL
标准包装
1
其它名称
NTMFS5832NLT1GOSCT
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别名：296-11934-1
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型号：
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