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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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NTMFS5C628NLT1G
NTMFS5C628NLT1G -
MOSFET N-CH 60V SO8FL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V SO8FL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTMFS5C628NLT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
52nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.4 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3600pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 135μA
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta）, 110W（Tc）
漏源电压（Vdss）
60V
关键词
产品资料
数据列表
NTMFS5C628NL
标准包装
1
其它名称
NTMFS5C628NLT1GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号：
BSC014N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC014N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC014N06NS
BSC014N06NS-ND
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BSC014N06NSCT-ND
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型号：
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仓库库存编号：
1727-2396-1-ND
别名：1727-2396-1
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568-12695-1-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
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型号：
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仓库库存编号：
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别名：TPH2R608NHL1QCT
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