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NTMS4917NR2G - 

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTMS4917NR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTMS4917NR2G
仓库库存编号:
NTMS4917NR2G-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 880mW(Ta) 8-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTMS4917NR2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15.6nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  11 毫欧 @ 11A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  7.1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1054pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  880mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTMS4917N
标准包装 2,500

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