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NTNS3193NZT5G
NTNS3193NZT5G -
MOSFET N-CH 20V 224MA XLLGA3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTNS3193NZT5G
仓库库存编号：
NTNS3193NZT5GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 20V 224MA XLLGA3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 20V 224mA（Ta） 120mW（Ta） 3-XLLGA（0.62x0.62）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTNS3193NZT5G产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFLGA
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
3-XLLGA（0.62x0.62）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.4 欧姆 @ 100mA，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
224mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
15.8pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
功率耗散（最大值）
120mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
20V
关键词
产品资料
数据列表
NTNS3193NZ
标准包装
1
其它名称
NTNS3193NZT5GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.7A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
型号：
FDMA1028NZ
仓库库存编号：
FDMA1028NZCT-ND
别名：FDMA1028NZCT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC LOAD SWITCH 3A 6DSBGA
型号：
TPS22964CYZPR
仓库库存编号：
296-39361-1-ND
别名：296-39361-1
无铅
搜索
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型号：
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仓库库存编号：
1589-1093-1-ND
别名：1589-1093-1
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 224mA（Ta）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15.8pF @ 15V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15.8pF @ 15V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15.8pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
功率耗散（最大值） 120mW（Ta）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 120mW（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 120mW（Ta）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 120mW（Ta）
漏源电压（Vdss） 20V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 20V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V
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