NTQD6968NR2G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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NTQD6968NR2G
NTQD6968NR2G -
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTQD6968NR2G
仓库库存编号：
NTQD6968NR2GOS-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.39W Surface Mount 8-TSSOP
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTQD6968NR2G产品属性
产品规格
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
供应商器件封装
8-TSSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
17nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 7A，4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
630pF @ 16V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）
20V
功率 - 最大值
1.39W
关键词
产品资料
数据列表
NTQD6968N
标准包装
4,000
其它名称
NTQD6968NR2GOS
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封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -
包装 带卷（TR）
ON Semiconductor 包装 带卷（TR）
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期
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供应商器件封装 8-TSSOP
ON Semiconductor 供应商器件封装 8-TSSOP
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 7A，4.5V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 7A，4.5V
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FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 16V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 16V
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 16V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 630pF @ 16V
FET 功能 逻辑电平门
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss） 20V
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V
功率 - 最大值 1.39W
ON Semiconductor 功率 - 最大值 1.39W
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.39W
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.39W
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