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NTR4501NT1
NTR4501NT1 -
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NTR4501NT1
仓库库存编号:
NTR4501NT1OSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.25W(Tj) SOT-23-3(TO-236)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTR4501NT1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
200pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.25W(Tj)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
NTR4501N
标准包装
1
其它名称
NTR4501NT1OSCT
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 On Semiconductor
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
ON Semiconductor Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 10V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 10V
FET 功能 -
ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.25W(Tj)
ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 1.25W(Tj)
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漏源电压(Vdss) 20V
ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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