NTS4409NT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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NTS4409NT1G
NTS4409NT1G -
MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
NTS4409NT1G
仓库库存编号:
NTS4409NT1GOSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 280mW(Tj) SC-70-3(SOT323)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTS4409NT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-70-3(SOT323)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
700mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
280mW(Tj)
漏源电压(Vdss)
25V
关键词
产品资料
数据列表
NTS4409N
标准包装
1
其它名称
NTS4409NT1GOSCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
0530470310
仓库库存编号:
WM1732-ND
别名:053047-0310
053047-0310-C
0530470310-C
530-47-0310-P
53047-0310
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WM1732
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