NTTFS4932NTAG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
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NTTFS4932NTAG
NTTFS4932NTAG -
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NTTFS4932NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4932NTAGOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTTFS4932NTAG产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerWDFN
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
46.5nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Ta），79A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3111pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），43W（Tc）
漏源电压（Vdss）
30V
关键词
产品资料
数据列表
NTTFS4932N
标准包装
1
其它名称
NTTFS4932NTAGOSCT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Decawave Limited
RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT
型号：
DWM1000
仓库库存编号：
1479-1002-1-ND
别名：1479-1002-1
无铅
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）
ON Semiconductor 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±20V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46.5nC @ 10V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46.5nC @ 10V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 46.5nC @ 10V
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不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4 毫欧 @ 20A，10V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3111pF @ 15V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
功率耗散（最大值） 850mW（Ta），43W（Tc）
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漏源电压（Vdss） 30V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
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