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产品规格

封装/外壳	8-PowerWDFN
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	18.9nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.3 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	22.4A（Ta），94A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1205pF @ 12V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.66W（Ta）, 46.3W（Tc）
漏源电压（Vdss）	25V
关键词

产品资料

数据列表	NTTFS4H05N
标准包装	1,500

封装/外壳 8-PowerWDFN  ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-WDFN（3.3x3.3）   技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  ON Semiconductor Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.9nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 30A，10V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 30A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 30A，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.3 毫欧 @ 30A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Ta），94A（Tc）  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Ta），94A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Ta），94A（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Ta），94A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1205pF @ 12V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1205pF @ 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1205pF @ 12V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1205pF @ 12V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc）  ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.66W（Ta）, 46.3W（Tc）   漏源电压（Vdss） 25V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 25V