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NTZD3155CT1G - 

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

ON Semiconductor NTZD3155CT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTZD3155CT1G
仓库库存编号：
NTZD3155CT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTZD3155CT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-563  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  2.5nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  550 毫欧 @ 540mA，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  540mA，430mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  150pF @ 16V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  250mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTZD3155C
标准包装 1
其它名称 NTZD3155CT1GOSCT

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