NVD3055L170T4G-VF01,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
>
NVD3055L170T4G-VF01
NVD3055L170T4G-VF01 -
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NVD3055L170T4G-VF01
仓库库存编号：
NVD3055L170T4G-VF01CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） DPAK
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
NVD3055L170T4G-VF01产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
DPAK
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
10nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
170 毫欧 @ 4.5A，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
275pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
漏源电压（Vdss）
60V
关键词
产品资料
数据列表
NTD3055L170
标准包装
1
其它名称
NVD3055L170T4G-VF01CT
NVD3055L170T4GOSCT
NVD3055L170T4GOSCT-ND
NVD3055L170T4G-VF01您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micro Commercial Co
TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMA
型号：
SMAJP4KE12CA-TP
仓库库存编号：
SMAJP4KE12CA-TPMSCT-ND
别名：SMAJP4KE12CA-TPMSCT
无铅
搜索
NVD3055L170T4G-VF01相关搜索
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
系列 -
ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 DPAK
ON Semiconductor 供应商器件封装 DPAK
晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK
技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 技术 MOSFET（金属氧化物）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值） ±15V
ON Semiconductor Vgs（最大值） ±15V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V
ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 4.5A，5V
ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 4.5A，5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 4.5A，5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 4.5A，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
ON Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）
ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 275pF @ 25V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 275pF @ 25V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 275pF @ 25V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 275pF @ 25V
FET 功能 -
ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
ON Semiconductor 功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
漏源电压（Vdss） 60V
ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 60V
晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V
ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
