NVDD5894NLT4G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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NVDD5894NLT4G - 

MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK

  • 非库存货
ON Semiconductor NVDD5894NLT4G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NVDD5894NLT4G
仓库库存编号:
NVDD5894NLT4G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 40V 14A 3.8W Surface Mount D-Pak 5-Lead
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NVDD5894NLT4G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D-Pak 5-引线  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  41nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  10 毫欧 @ 50A,10V  
  FET 类型  2 N 沟道(双)共漏  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  14A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2103pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  40V  
  功率 - 最大值  3.8W  
关键词         

产品资料
数据列表 NVDD5894NL
标准包装 2,500

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