NVJD4401NT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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NVJD4401NT1G - 

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

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ON Semiconductor NVJD4401NT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NVJD4401NT1G
仓库库存编号:
NVJD4401NT1G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NVJD4401NT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  3nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  375 毫欧 @ 630mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  630mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  46pF @ 20V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  270mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTJD4401N
标准包装 3,000

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