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NVMFD5853NLT1G - 

MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

ON Semiconductor NVMFD5853NLT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NVMFD5853NLT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-DFN（5x6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  23nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  10 毫欧 @ 15A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  12A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1100pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  功率 - 最大值  3W  
关键词         

产品资料
数据列表 NVMFD5853NL(WF)
标准包装 1
其它名称 NVMFD5853NLT1GOSCT

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