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NVMFS5C612NLWFAFT1G - 

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • 非库存货
ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFAFT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V SO8FL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NVMFS5C612NLWFAFT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN,5 引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  5-DFN(5x6)(8-SOFL)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  91nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.36 毫欧 @ 50A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  38A(Ta),250A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  6660pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3.8W(Ta), 167W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 NVMFS5C612NL
标准包装 1,500

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