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NVR4003NT3G
NVR4003NT3G -
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
NVR4003NT3G
仓库库存编号：
NVR4003NT3GOSCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 690mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NVR4003NT3G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23（TO-236AB）
技术
MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.15nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
21pF @ 5V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250μA
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）
漏源电压（Vdss）
30V
关键词
产品资料
数据列表
NTR4003N, NVR4003N
标准包装
1
其它名称
NVR4003NT3GOSCT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 270mA（Ta） 330mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS4001NT1G
仓库库存编号：
NTS4001NT1GOSCT-ND
别名：NTS4001NT1GOSCT
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 690mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4003NT1G
仓库库存编号：
NTR4003NT1GOSCT-ND
别名：NTR4003NT1GOSCT
无铅
搜索
Abracon LLC
CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
详细描述：25MHz ±10ppm 晶体 10pF 50 欧姆 -40°C ~ 85°C 表面贴装 4-SMD，无引线
型号：
ABM8-25.000MHZ-10-D1G-T
仓库库存编号：
535-13468-1-ND
别名：535-13468-1
无铅
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ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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包装 剪切带（CT）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
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功率耗散（最大值） 690mW（Ta）
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漏源电压（Vdss） 30V
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ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V
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