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SCH1430-TL-H - 

MOSFET N-CH 20V 2A SCH6

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ON Semiconductor SCH1430-TL-H
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制造商产品编号:
SCH1430-TL-H
仓库库存编号:
SCH1430-TL-H-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 2A SCH6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
操作
SCH1430-TL-H
库存编号:SCH1430-TL-H-ND
onsemi MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH0
5000起订
5000+
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15000+
25000+
35000+
¥1.65
¥1.51
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¥1.33
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SCH1430-TL-H
库存编号:2156-SCH1430-TL-H-ND
Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH0
2420起订
2420+
¥1.5
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SCH1430-TL-H产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  6-SCH  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  1.8nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  125 毫欧 @ 1A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.8V,4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  128pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  功率耗散(最大值)  800mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 SCH1430
标准包装 5,000

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封装/外壳 SOT-563,SOT-666  ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-563,SOT-666   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 6-SCH  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-SCH  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-SCH  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-SCH   技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±12V  ON Semiconductor Vgs(最大值) ±12V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 1A,4.5V  ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 1A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 1A,4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 1A,4.5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 128pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 128pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 128pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 128pF @ 10V   FET 功能 -  ON Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -   功率耗散(最大值) 800mW(Ta)  ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 800mW(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 800mW(Ta)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 800mW(Ta)   漏源电压(Vdss) 20V  ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 2A SCH6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

MOSFET SWITCHING DEVICE

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin SCH T/R (Alt: SCH1430-TL-H)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin Case SCH T/R

RoHS: Compliant

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SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 6-Pin Case SCH T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor

SCH1430-TL-H N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 20 V Depletion, 6-Pin SCH

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SCH1430-TL-H
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ON Semiconductor  

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ON Semiconductor - SCH1430-TL-H - ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH1430-TL-H, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 SCH封装

制造商零件编号:
SCH1430-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1115
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ON Semiconductor - SCH1430-TL-H - MOSFET N-CH 20V 2A SCH6
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A SCH6

详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH

型号:SCH1430-TL-H
仓库库存编号:SCH1430-TL-H-ND

无铅
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ON Semiconductor - SCH1430-TL-H - 6-Pin SCH 20 V Depletion 2 A SCH1430-TL-H N-channel MOSFET Transistor|70467644 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
SCH1430-TL-H N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 20 V Depletion, 6-Pin SCH


型号:SCH1430-TL-H
仓库库存编号:70467644

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SCH1430-TL-H|ON SemiconductorSCH1430-TL-H
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A SCH6
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