SCH2825-TL-E,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SCH2825-TL-E - 

MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
ON Semiconductor SCH2825-TL-E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SCH2825-TL-E
仓库库存编号:
869-1197-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-SCH
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SCH2825-TL-E产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-SMD,扁平引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  6-SCH  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  180 毫欧 @ 800mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.6A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  88pF @ 10V  
  FET 功能  肖特基二极管(隔离式)  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  功率耗散(最大值)  600mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SCH2825
PCN 组件/产地 Wafer Fab Addition 25/Sep/2014
标准包装 1
其它名称 869-1197-1

SCH2825-TL-E相关搜索

封装/外壳 6-SMD,扁平引线  ON Semiconductor 封装/外壳 6-SMD,扁平引线  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD,扁平引线  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD,扁平引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  ON Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 6-SCH  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-SCH  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-SCH  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-SCH   技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 800mA,10V  ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 800mA,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 800mA,10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 800mA,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 88pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 88pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 88pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 88pF @ 10V   FET 功能 肖特基二极管(隔离式)  ON Semiconductor FET 功能 肖特基二极管(隔离式)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管(隔离式)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管(隔离式)   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -   功率耗散(最大值) 600mW(Ta)  ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)   漏源电压(Vdss) 30V  ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号