SVC383T-TL-E,ON Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
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二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
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SVC383T-TL-E
SVC383T-TL-E -
DIODE VARACTOR 33V CPH3
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号：
SVC383T-TL-E
仓库库存编号：
869-1202-1-ND
描述：
DIODE VARACTOR 33V CPH3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Varactor 1 Pair Common Cathode 33V Surface Mount 3-CPH
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SVC383T-TL-E产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-96
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C（TJ）
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
过期
供应商器件封装
3-CPH
二极管类型
1 对共阴极
不同?Vr，F 时的电容
27pF @ 6.5V，1MHz
电容比
24.5
电容比条件
C1/C6.5
不同 Vr，F 时的 Q 值
200 @ 1V，1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
33V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
869-1202-1
SVC383TTLE
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二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-96
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-96
制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装
工作温度 125°C（TJ）
ON Semiconductor 工作温度 125°C（TJ）
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 125°C（TJ）
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系列 -
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二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -
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包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）
零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
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ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期
供应商器件封装 3-CPH
ON Semiconductor 供应商器件封装 3-CPH
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 3-CPH
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 3-CPH
二极管类型 1 对共阴极
ON Semiconductor 二极管类型 1 对共阴极
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 1 对共阴极
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 1 对共阴极
不同?Vr，F 时的电容 27pF @ 6.5V，1MHz
ON Semiconductor 不同?Vr，F 时的电容 27pF @ 6.5V，1MHz
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 27pF @ 6.5V，1MHz
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 27pF @ 6.5V，1MHz
电容比 24.5
ON Semiconductor 电容比 24.5
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 24.5
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 24.5
电容比条件 C1/C6.5
ON Semiconductor 电容比条件 C1/C6.5
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C6.5
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C6.5
不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 1V，1MHz
ON Semiconductor 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 1V，1MHz
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 1V，1MHz
ON Semiconductor 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 1V，1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max) 33V
ON Semiconductor Voltage - Peak Reverse (Max) 33V
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） Voltage - Peak Reverse (Max) 33V
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