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TF256TH-3-TL-H
TF256TH-3-TL-H -
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
TF256TH-3-TL-H
仓库库存编号:
TF256TH-3-TL-H-ND
描述:
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount VTFP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TF256TH-3-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
3-SMD,扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
VTFP
FET 类型
N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3.1pF @ 2V
Power - Max
100mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
100μA @ 2V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
100mV @ 1μA
电阻 - RDS(开)
-
漏极电流(Id) - 最大值
1mA
关键词
产品资料
数据列表
TF256TH
标准包装
8,000
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封装/外壳 3-SMD,扁平引线
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晶体管 - JFET 封装/外壳 3-SMD,扁平引线
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - JFET 工作温度 150°C(TJ)
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
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包装 带卷(TR)
ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - JFET 零件状态 过期
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供应商器件封装 VTFP
ON Semiconductor 供应商器件封装 VTFP
晶体管 - JFET 供应商器件封装 VTFP
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 VTFP
FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.1pF @ 2V
ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.1pF @ 2V
晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.1pF @ 2V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3.1pF @ 2V
Power - Max 100mW
ON Semiconductor Power - Max 100mW
晶体管 - JFET Power - Max 100mW
ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 100mW
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 2V
ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 2V
晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 2V
ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 100μA @ 2V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 100mV @ 1μA
ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 100mV @ 1μA
晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 100mV @ 1μA
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电阻 - RDS(开) -
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晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -
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漏极电流(Id) - 最大值 1mA
ON Semiconductor 漏极电流(Id) - 最大值 1mA
晶体管 - JFET 漏极电流(Id) - 最大值 1mA
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