TF412ST5G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TF412ST5G - 

JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

ON Semiconductor TF412ST5G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TF412ST5G
仓库库存编号：
TF412ST5GOSCT-ND
描述：
JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TF412ST5G产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-XFDFN  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-883（XDFN3）（1x0.6）  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4pF @ 10V  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  Power - Max  100mW  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  1.2mA @ 10V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  180mV @ 1μA  
  电压 - 击穿（V（BR）GSS）  30V  
  电阻 - RDS（开）  -  
  漏极电流（Id） - 最大值  10mA  
关键词         

产品资料
数据列表 TF412S
标准包装 1
其它名称 TF412ST5GOSCT

TF412ST5G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

TF412ST5G相关搜索

封装/外壳 3-XFDFN  ON Semiconductor 封装/外壳 3-XFDFN  晶体管 - JFET 封装/外壳 3-XFDFN  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 3-XFDFN   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - JFET 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-883（XDFN3）（1x0.6）  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-883（XDFN3）（1x0.6）  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-883（XDFN3）（1x0.6）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-883（XDFN3）（1x0.6）   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4pF @ 10V   漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 100mW  ON Semiconductor Power - Max 100mW  晶体管 - JFET Power - Max 100mW  ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 100mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.2mA @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.2mA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.2mA @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1.2mA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 180mV @ 1μA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） -  ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -   漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 10mA  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号