TIG058E8-TL-H,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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TIG058E8-TL-H
TIG058E8-TL-H -
IGBT 400V ECH8
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
TIG058E8-TL-H
仓库库存编号:
TIG058E8-TL-HOSCT-ND
描述:
IGBT 400V ECH8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 400V Surface Mount 8-ECH
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TIG058E8-TL-H产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
制造商
On Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-ECH
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
测试条件
-
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
5.6V @ 4V,100A
25°C 时 Td(开/关)值
-
关键词
产品资料
数据列表
TIG058E8
标准包装
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TIG058E8-TL-HOSCT
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制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 8-ECH
ON Semiconductor 供应商器件封装 8-ECH
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-ECH
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-ECH
输入类型 标准
ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
测试条件 -
ON Semiconductor 测试条件 -
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开关能量 -
ON Semiconductor 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
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Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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IGBT 类型 -
ON Semiconductor IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 5.6V @ 4V,100A
ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 5.6V @ 4V,100A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 5.6V @ 4V,100A
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25°C 时 Td(开/关)值 -
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