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• 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。

产品规格

封装/外壳	8-SMD，扁平引线
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	8-ECH
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	7V @ 2.5V，100A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 8-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SMD，扁平引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 8-ECH  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-ECH  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-ECH  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-ECH   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   测试条件 -  ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 7V @ 2.5V，100A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 7V @ 2.5V，100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 7V @ 2.5V，100A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 7V @ 2.5V，100A   25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -