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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	1.2W
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	5V @ 4V，150A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

数据列表	TIG067SS
标准包装	1
其它名称	TIG067SS-TL-2WOSCT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 1.2W  ON Semiconductor Power - Max 1.2W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1.2W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1.2W   测试条件 -  ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 4V，150A  ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 4V，150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 4V，150A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 4V，150A   25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -