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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220AB
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 1A，4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	2mA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	2.5V @ 8mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	TIP110-112,115-117
标准包装	50
其它名称	TIP111G-ND TIP111GOS

封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220AB   晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 1A，4V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 1A，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 1A，4V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 1A，4V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 2W  ON Semiconductor Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 8mA，2A  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 8mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 8mA，2A  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 8mA，2A   频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -